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IXFA4N100Q
IXFP4N100Q
15
Figure 7. Gate Charge
2000
Figure 8. Capacitance Curves
Ciss
12
V DS = 600 V
I D = 3 A
I G = 10 mA
1000
Coss
f = 1MHz
9
Crss
6
3
0
100
10
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the Intrinsic Diode
10
8
6
T J = 125 O C
4
T J = 25 O C
2
60
5
4
3
2
1
V DS - Volts
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
V SD - Volts
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees Centigrade
Figure 11. Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXT_4N100Q (4U)04-01-11-A
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